硅片低溫直接鍵合法

2006年

應用技術

成果簡介

硅片低溫直接鍵合方法，屬于半導體直接鍵合領域。現有技術處理過的硅片仍需450℃以上的熱處理，而高溫會改變硅片的雜質分布，熱膨脹會帶來應力，損傷硅片上的微細結構，有IC存在并有鋁引線時，溫度超過鋁硅共晶點引起器件失效。本發明表面處理過程為：先將系統抽成真空，然后充入等離子體對硅片進行處理；等離子體為純CF_4氣體或體積比為100:1～1:20的CF_4與O_2的混合氣體，處理時間為5～20分...

相關成果

1. 硅片直接鍵合技術
2. 硅片直接鍵合生產技術及電力電子器件
3. 一種低溫晶片直接鍵合方法
4. 硅片鍵合強度測試系統
5. 金屬AIN電子陶瓷直接鍵合研究
6. 磷化銦和砷化鎵材料的直接鍵合方法
7. 晶片直接鍵合過程中實驗參數的優化方法
8. GaAs襯底InP-PIN探測器直接鍵合研究
9. 一種玻璃微流控芯片的低溫鍵合方法
10. 利用硅/硅直接鍵合制備電力電子器件用襯底材料
12. 微機電系統超低溫陽極鍵合用微晶玻璃的研究
13. 一種無損檢測磷化銦與砷化鎵基材料直接鍵合質量的方法
14. 優質外延襯底硅片
15. 太陽能硅片
16. 硅片清洗劑
17. 超薄外延襯底硅片
18. 鍵合銅絲
19. 低溫直接甲醇燃料電池用聚乙烯磺酸膜制備技術
20. 高平整度硅片

精品福利一区二区三区免费视-精品福利一区二区三区免费视频-精品福利一区二区在线观看-精品高潮呻吟99AV无码-精品高潮呻吟AV久久无码-精品高精欧美囯产日韩一区

硅片低溫直接鍵合法

標簽云

猜您想要的成果

相關專家

相關機構


	選擇導出文檔的格式關閉 PDF PDF RTF(word文檔) TXT(純文本)


	提示信息關閉發送短信成功


	提示信息關閉發送短信失敗


	提示信息關閉發送郵件失敗


	提示信息關閉郵件發送成功