內腔接觸式垂直腔面發射激光器的結構及其制備方法

2006年

應用技術

成果簡介

一種內腔接觸式垂直腔面發射激光器的結構及其制備方法，屬半導體光電子領域。結構包括從上往下排列的上分布布拉格反射鏡1，歐姆接觸層4，AlxGal-xAs(x≥0.9)濕氮氧化層5，有源區單元7，下分布布拉格反射鏡8，緩沖層9，襯底10和n型電極11。特征在于：在上分布布拉格反射鏡1和歐姆接觸層4之間設置有腐蝕停層2及AlxGal-xAs(x≥0.9)濕氮氧化層5和有源區單元7中的p型限制層1...

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