低功耗半導體功率開關器件及其制造方法

2006年

應用技術

成果簡介

一種低功耗半導體功率開關器件及其制造方法，提供低功耗的耐壓在2kV以內的IGBT、MCT和晶閘管。
特征是：離子注入形成的超薄、低雜質濃度的背p+發射區與包含單側殘留N型擴散層的雜質非均勻分布的N型基區的結合。
方法特征是：其中非均勻摻雜N型基區中靠近p+區一邊的殘留擴散層是在襯底減薄之前的制造過程的第一步完成的，在襯底減薄之后只有低溫加工過程。本...

相關成果

1. 硅高速半導體開關器件的制造方法
2. 一種深溝槽大功率MOS器件及其制造方法
3. 片式半導體大功率器件
4. 新型功率半導體器件模擬軟件
5. 新型功率半導體器件VDMOS開發
6. 功率半導體器件的耐壓層
7. 功率半導體器件的電極引出技術
8. 低功耗數字光開關
9. 大功率電力電子開關器件功率損耗測試系統
10. 電致發光顯示器件及其制造方法
12. 超低功耗高頻MnZn功率鐵氧體材料
13. 新型高頻、大功率化合物半導體電子器件研究
14. 新型功率MOS器件
15. 大功率半導體激光器線列陣光纖耦合輸出器件
16. 大功率半導體器件用金剛石導熱基板的制備
17. 低電感門控晶閘管及其功率半導體組件
18. 電力半導體器件
19. 新型軟開關功率變換拓撲及其應用
20. GSL型低功耗半導體氣體傳感器

精品福利一区二区三区免费视-精品福利一区二区三区免费视频-精品福利一区二区在线观看-精品高潮呻吟99AV无码-精品高潮呻吟AV久久无码-精品高精欧美囯产日韩一区

低功耗半導體功率開關器件及其制造方法

標簽云

猜您想要的成果

相關專家

相關機構


	選擇導出文檔的格式關閉 PDF PDF RTF(word文檔) TXT(純文本)


	提示信息關閉發送短信成功


	提示信息關閉發送短信失敗


	提示信息關閉發送郵件失敗


	提示信息關閉郵件發送成功