2004年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本項(xiàng)目研究目標(biāo)：在國(guó)內(nèi)現(xiàn)有工藝條件下，研制出具有高吸熱能力的探測(cè)器微橋結(jié)構(gòu)（8～12微米的吸收率達(dá)到80%），研制出與非致冷焦平面配套的讀出電路結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)讀出電路與微橋探測(cè)器的單片工藝集成。項(xiàng)目的研究?jī)?nèi)容及其關(guān)鍵技術(shù)：
?。?）橋結(jié)構(gòu)與探測(cè)器紅外吸收率的研究，重點(diǎn)解決微橋探測(cè)器吸熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和工藝加工等關(guān)鍵技術(shù)； ?。?）非致冷焦平面讀出技術(shù)研究，重點(diǎn)解決硅橋式非致... 
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