室溫GaAs紅外探測器（中科院）

2004年

應用技術

中期階段

成果簡介

　　本發明公開了一種基于平板電容隨溫度變化原理設計的室溫GaAs紅外探測器。該探測器的結構是：在GaAs襯底上，有一與GaAs襯底牢固結合的高摻雜Si GaAs平板電容下電極層，在下電極層與上電極層的一端頭之間有一AlAs支撐層，支撐平板電容上電極層，使上電極層的突出部分被懸空，上電極層的材料為高摻雜Si GaAs，
　　在上電極層上覆蓋著一層Si_3N_4吸熱層。當探測器的吸熱層受到...

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室溫GaAs紅外探測器（中科院）

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