2001年 應用技術
成熟應用階段 制備表面層型半導體瓷片的主要關鍵設備是氣氛燒結爐，本成果中研制的氣氛燒結組合爐，是利用混合氣體（H_2占75%，N_2占25%）形成還原氣氛。國外一般是采用純氫10～25%和純氮75～90%，也有廠家是采用100%氫氣。本課題采用的方式經濟、安全、效率高。...
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