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    一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法

    2016年 應(yīng)用技術(shù)  中期階段
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      一種高取向單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜的低溫制備方法,利用改進(jìn)的低溫非均相溶劑熱技術(shù)結(jié)合界面化學(xué)反應(yīng),直接在透明導(dǎo)電玻璃表面大面積沉積形成高度取向、結(jié)晶良好、尺寸可調(diào)的單晶二氧化鈦納米線陣列薄膜。這種一維納米結(jié)構(gòu)陣列薄膜垂直導(dǎo)電玻璃表面生長(zhǎng),可以作為納米電極組裝新型納米器件,尤其是可直接作為新型太陽能電池的光電極使用,能夠提高光電子的傳輸速率而降低其復(fù)合速度。本發(fā)明材料的制備過程簡(jiǎn)單、環(huán)保、成本...

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