2016年 應用技術
成熟應用階段 本發明涉及半導體技術，具體的說是涉及一種橫向高壓器件及其制造方法。本發明的一種橫向高壓器件，其特征在于，通過推阱和離子注入工藝在第二種導電類型半導體漂移區中形成第一種導電類型半導體降場層，通過光刻和離子注入工藝，在第二種導電類型半導體漂移區的表面形成的第二種導電類型半導體重摻雜層。本發明的有益效果為，在保持高的擊穿耐壓的情況下，可以大大的降低器件比導通電阻，同時減小橫向高壓器件源端的電場峰值，...
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