2016年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 一種BCD器件及其制造方法，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在同一芯片上同時集成高壓nLIGBT、三類高壓nLDMOS、低壓NMOS、低壓PMOS和低壓NPN等半導(dǎo)體器件。其中，高壓nLIGBT、nLDMOS和低壓NPN直接做在單晶p型襯底上，低壓NMOS做在p型阱中，低壓PMOS做在n型外延層中。由于p型降場層分別位于n型外延層和n型漂移區(qū)阱間，使得p型埋層上的n型外延層為高壓器件提供了一...
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