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    提高CdS和CdSe納米材料電導(dǎo)率和光電流的方法

    2016年 應(yīng)用技術(shù)  成熟應(yīng)用階段
    • 成果簡(jiǎn)介
      一種提高CdS和CdSe納米材料電導(dǎo)率和光電流的方法,它利用電子束輻照提高了CdS和CdSe低維納米材料電導(dǎo)率和光電流。本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單、可控,且所需的電子束能量低(0.2-30keV),用掃描電子顯微鏡即可實(shí)現(xiàn)。在高真空環(huán)境中(優(yōu)于1×10-3Pa),利用該方法能極大幅度提高CdS和CdSe低維納米材料的電導(dǎo)率(>105倍)和光電流(達(dá)5倍)。...

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