碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法

2016年

應用技術

中期階段

成果簡介

　　一種電子封裝用碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法，先對碳化硅顆粒（SiCp）表面進行粗化、敏化、活性、解膠及烘干五步預處理，再用5～12.5 g/l的硫酸銅、10～20g/l的EDTA、5～15g/l的酒石酸鉀鈉、體積分數1.2～1.5%的甲醛及體積分數0.7～0.9%的甲醇的鍍液，在pH值11～12.5、35～47℃的條件下，對SiCp表面鍍銅，再采用無壓滲透法制備SiCp體積分數為50～55...

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