一種制備二硅化鉭塊體材料的方法

2016年

應用技術

初期階段

成果簡介

　　本發明涉及一種制備二硅化鉭塊體材料的方法，所述方法包括：采用真空等離子體噴涂工藝或低壓等離子體噴涂工藝將二硅化鉭粉噴涂到經表面預處理的耐高溫基材至規定厚度，然后將耐高溫基材剝離得到所述二硅化鉭塊體材料；所述二硅化鉭粉的粒徑范圍為10～120微米，純度大于95wt%；所述真空等離子體噴涂工藝或低壓等離子體噴涂工藝的參數為：等離子體氣體Ar：30～50slpm；等離子體氣體H2：8～18slpm；...

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