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瞬態電壓抑制二極管（Transient Voltage SuppressorDiode，TVS），是目前國際上普遍使用的一種二極管形式的高效瞬態電壓保護器件。當TVS 的兩端受到反向瞬態高電壓沖擊時， 它能以10~12 s 量級的時間將其兩端的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數kW 的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖和靜電的損壞。
傳統TVS二極管有單級和雙極兩種，均已被大量生產和廣泛使用。其最大峰值功率有200W，400W 直到15kW，30kW等很多種。目前，研究熱點主要集中在通過不斷改善傳統結構和工藝技術來提高TVS器件的整體性能；通過采用SiC 等新材料來突破Si 材料在高溫等應用領域的的極限；由分立的離片式TVS 器件（off-chip TVS）到集成TVS器件（on-chip TVS）等方面，但至15kW和30kW以后，就鮮有文獻報道功率更高的TVS器件。
針對上述問題，項目創新研發了擴散濃度和深度控制技術。在滿足電流耐量情況下，通過擴散濃度和深度控制，實現了瞬態電壓抑制；設計了多層保護復合結構芯片。利用CVD設備沉積sipos膜、PG鈍化和LTO膜對芯片PN結進行三重保護，保證了芯片的可靠性；開發了20kA-TVS芯片制造工藝，配套研制了一種芯片測試探針臺防打火裝置等生產設備。利用碳化硅材料的電子飽和漂移速率高的特性，獲得了高速響應特性。
項目具有自主知識產權，已獲國家授權發明專利。項目小批量產品已被天寶國際興業有限公司、鄭州易昕電子科技有限公司等單位采用，反映良好。
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