2015年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 本課題以高效率垂直結(jié)構(gòu)等薄膜結(jié)構(gòu)LED器件工藝為核心，從高內(nèi)量子效率、適合垂直結(jié)構(gòu)器件制備工藝的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計及生長工藝技術(shù)，高良品率、高出光效率的垂直結(jié)構(gòu)器件制備工藝技術(shù)兩個方面來攻關(guān)。本課題采用的技術(shù)總體方案是采用垂直結(jié)構(gòu)的薄膜器件LED結(jié)構(gòu)來制備中功率LED器件，具體技術(shù)路線為：適合垂直結(jié)構(gòu)LED器件的外延生長-低阻高反射P型接觸電極的蒸鍍-金屬焊料的蒸鍍-圓片鍵合-微區(qū)激光剝離-N表...
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