SOI硅高溫壓力傳感器

2000年

應用技術

中期階段

成果簡介

此成果為國家“九五”攻關課題。該成果采用Si-SiO_2-Si鍵合技術獲得SOI材料，利用KOH腐蝕的方法制作出敏感硅膜和彈性體用的硅杯結構，采用干法刻蝕技術制作出敏感電阻全橋，利用單晶硅的壓阻效應實現壓力信號向電信號的轉換。其性能指標達到901年代同類產品的國際先進水平。該成果填補了國內低量程段高溫壓力傳感器的空白，特別是解決了過程控制中對過熱蒸汽的高溫壓力測量問題，目前已取得了一定的經...

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SOI硅高溫壓力傳感器

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