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一、項目來源及背景
項目產(chǎn)品自主研發(fā)，關(guān)鍵核心技術(shù)擁有發(fā)明專利。現(xiàn)已量產(chǎn)，有著較大的市場份額。
功率半導體技術(shù)是改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)、發(fā)展高新技術(shù)和高效利用能源的主導技術(shù)，功率半導體芯片是功率半導體技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。項目產(chǎn)品終端結(jié)構(gòu)優(yōu)化，終端結(jié)構(gòu)多重臺階溝槽造型。廣泛應用于工業(yè)控制、無功補償（智能電網(wǎng)）、模塊電源等重點領域，市場應用領域滲透性強。
二、項目介紹
現(xiàn)有的晶閘管芯片采用挖槽工藝，承受的耐壓較低（＜1400V）且正反向耐壓不對稱，反向耐壓高于正向耐壓，原因是該結(jié)構(gòu)引起空間電荷區(qū)展不寬，電場集中，導致正向耐壓低，反向耐壓由于是正斜角結(jié)構(gòu)，電場弱，所以耐壓高。亟待解決結(jié)終端結(jié)構(gòu)的耐高壓問題。
項目產(chǎn)品通過在溝槽的兩內(nèi)壁對稱設置有臺階結(jié)構(gòu)，該溝槽設置有兩級或三級臺階結(jié)構(gòu)且其高度過PN結(jié)伸入基區(qū)20-70um。可有效增大溝槽表面積，降低P層表面濃度，有利于空間電荷區(qū)的展寬，達到降低表面電場強度的效果，并減少了正反向耐壓的差距。