采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法

2017年

應用技術

初期階段

成果簡介

　　本發明涉及一種采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法，依下述步驟進行：
　　1、Cr塊的挑選：將有氧化皮、被污染的Cr塊挑出；
　　2、熔煉：將合格的Cr塊裝入中頻真空感應爐中，升溫速率為10-18℃/min，熔煉溫度為1800～2000℃；
　　3、澆注：以0.6～0.8m/s的澆注速度快速澆鑄到水冷Cu模中，進行快速冷卻，制得Cr靶。
　　本發明通過感...

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