一種增強太赫茲輻射吸收率的膜系結構及其制備方法

2017年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　本發明公開了一種增強太赫茲輻射吸收率的膜系結構及其制備方法，該膜系結構位于太赫茲探測器敏感單元的頂層，包括介質薄膜及位于其上的太赫茲吸收層。所述介質薄膜為采用PECVD混頻技術制備的低應力氮化硅或氧化硅薄膜，該介質薄膜被反應離子刻蝕為微納米量級的粗糙表面，所述太赫茲吸收層由磁控濺射法制備在表面粗糙的介質薄膜上。由于粗糙的介質薄膜表面結構增大了太赫茲吸收層的表體比，有效增強太赫茲輻射吸收率，并且...

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