III-V族化合物半導體器件及其歐姆接觸電阻改善方法

2017年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　本發明提供了一種III-V族化合物半導體器件及其歐姆接觸電阻改善方法。該方法包括：在外延層上形成掩膜層，并采用光刻工藝在掩膜層上形成歐姆接觸區域和非歐姆接觸區域；對露出在歐姆接觸區域內的外延層進行銦離子注入；在歐姆接觸區域和非歐姆接觸區域上沉積與外延層采用的半導體材料的功函數對應的歐姆接觸金屬層；采用濕法工藝剝離非歐姆接觸區域上的掩膜層以及歐姆接觸金屬層；加熱晶圓，使歐姆接觸區域內的外延層、至...

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III-V族化合物半導體器件及其歐姆接觸電阻改善方法

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