基于藍寶石襯底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法

2014年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明公開了一種基于藍寶石襯底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微電子技術領域。該器件自下而上依次包括低溫AlN成核層（2）、高溫AlN成核層（3）、本征AlGaN外延層（4）、n-AlGaN勢壘層（5）、有源區（6）、p-AlGaN勢壘層（7）、低Al組分p型AlGaN層（8）、p型GaN冒層（9），以及在p型GaN冒層設有的窗口區（10）。該器件通過干法刻蝕p-GaN...

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基于藍寶石襯底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法

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