HEMT器件及其制造方法

2014年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根據本發明的一個方面，提供了一種HEMT器件，包括：在襯底上的半導體層；在上述半導體層上的隔離層；與上述半導體層接觸的源極和漏極；以及在上述隔離層上的柵極和至少一個浮柵，該柵極和至少一個浮柵為雙層結構，其中上層為導電層，下層為第一介質層。一種HEMT器件，包括：在襯底上的半導體層；在上述半導體層上的隔離層；與上述隔離層接觸的源...

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