2017年 基礎(chǔ)理論
1、課題來(lái)源與背景
功率半導(dǎo)體的作用是使電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保并給使用者提供更多的方便，是節(jié)能減排的基礎(chǔ)技術(shù)和核心技術(shù)。超結(jié)結(jié)構(gòu)的提出，代表一種新型的功率MOSFET開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)。相對(duì)于傳統(tǒng)功率MOSFET器件，超結(jié)器件可以達(dá)到更高的擊穿電壓，或更低的導(dǎo)通電阻。但是，實(shí)現(xiàn)超結(jié)結(jié)構(gòu)的主要方式是采用多層外延和垂直深溝槽刻蝕技術(shù)。在多層外延工藝中，高溫和長(zhǎng)時(shí)間的退火推結(jié)會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)... 
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