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　　多晶硅廠是一個(gè)純度要求高、工藝復(fù)雜、設(shè)備種類眾多的化工系統(tǒng)，多晶硅產(chǎn)品中部分還具備冶金系統(tǒng)和半導(dǎo)體電子元器件的特點(diǎn)。由于產(chǎn)品要求純度較高，相應(yīng)地輸送產(chǎn)品原料的管線和儲(chǔ)存提純?cè)系脑O(shè)備也就要求較高、較嚴(yán)格的潔凈度。安裝前若不進(jìn)行清洗，設(shè)備上的銹渣的油漬等單靠系統(tǒng)物料的沖刷是無(wú)法達(dá)到潔凈要求的；如不干燥，系統(tǒng)內(nèi)哪怕一點(diǎn)水就會(huì)造成原料水解、設(shè)備腐蝕和系統(tǒng)堵塞。而只做簡(jiǎn)單的清洗，系統(tǒng)內(nèi)壁附著的污物是不可能完全清除干凈，只要有殘留，存在系統(tǒng)內(nèi)的污物就會(huì)隨時(shí)間慢慢衰減，造成系統(tǒng)凈化處理階段的廢品率增高，工廠產(chǎn)出價(jià)值降低，由此造成在的損失是可想而知的，因此，為了縮短工藝系統(tǒng)調(diào)試時(shí)凈化處理的時(shí)間，最大限度地降低調(diào)試費(fèi)用，盡早產(chǎn)出符合純度要求的高純硅，必須要做好工藝設(shè)備和工藝管道安裝前的清洗工作。
　　目前，多晶硅清洗工藝一般采用四氯化碳進(jìn)行脫脂，并利用四氯化碳的易渾發(fā)性達(dá)到干燥的目的，但四氯化碳為有毒物質(zhì)，不利于環(huán)保。
　　本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)了一種多晶硅裝置的清洗辦法，該方法包括：
　　（1）用脫脂劑對(duì)裝置進(jìn)行脫脂清洗；
　　（2）用無(wú)油干燥空氣對(duì)清洗后的裝置進(jìn)行干燥。
　　所用無(wú)油干燥空氣露點(diǎn)≤-400C，油含量≤0.01mg/m3，塵埃粒子≤0.01um,流量為40～60m3/min。脫脂劑為2～5%重量的氫氧化鈉溶液，配置氫氧化鈉溶液所用水為純水，純水含量為零，電導(dǎo)率《15us/cm，氯離子《5mg/L。本發(fā)明根本上解決了系統(tǒng)干燥問(wèn)題，保證最終投產(chǎn)前的干燥，同時(shí)能夠滿足環(huán)保要求。
　　目前多晶硅裝置的清洗均采用此方法。即確保了多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量，又達(dá)到了環(huán)保要求。
　　

焦永濤、王波、邢朝政