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III-V族氮化物材料生長用圖形化藍寶石襯底關鍵技術與產業化

2014年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

項目背景：
作為第三代半導體的III-V族氮化物材料，由于其特有的帶隙范圍和優良的光電特性，在紫外/可見光波段及白光發光二極管（LED）、藍/綠光短波長激光二極管（LD）、紫外光探測器和高功率電子器件等領域有著廣泛的應用前景。然而，制約氮化物材料發展的重要因素之一，則是襯底材料。由于氮化鎵（GaN）單晶襯底至今沒有很好地解決，III-V 族氮化物的生長主要依賴異質外延技...

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III-V族氮化物材料生長用圖形化藍寶石襯底關鍵技術與產業化

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