8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備

2014年

應(yīng)用技術(shù)

成熟應(yīng)用階段

成果簡(jiǎn)介

硅通孔（TSV，Through Silicon Via）刻蝕是指要穿透硅片的高速深孔刻蝕，能夠在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，是實(shí)現(xiàn)芯片互聯(lián)的最新技術(shù)。與以往IC封裝鍵合和使用凸點(diǎn)的疊加技術(shù)不同，硅通孔能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。它也被稱(chēng)為繼鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。硅...

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8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備

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