陰陽離子共摻的n型氧化鋅基透明導電薄膜及其制備方法

2013年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明提供了一種陰陽離子共摻的n型氧化鋅基透明導電薄膜，所述摻雜的陽離子為高價陽離子Mn+，n為3、4、5或6；所述摻雜的陰離子為低價陰離子Xm-，m＝1。本發明采用高真空磁控濺射技術(High-vacuum Magnetron Sputtering)，利用高價陽離子和低價陰離子雙重促進氧化鋅薄膜的n型透明導電性能，制備出高性能的陰陽離子共摻氧化鋅多晶薄膜。含低價陰離子的化合物作為助熔劑還...

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