稀土離子摻雜的硅基納米層狀結(jié)構(gòu)紫外電致發(fā)光器件

2013年

基礎(chǔ)理論

成果簡(jiǎn)介

本項(xiàng)目的研究目標(biāo)是設(shè)計(jì)并生長(zhǎng)出高質(zhì)量SiO2:Gd紫外發(fā)光薄膜和Gd2O3/SiO2層狀納米發(fā)光結(jié)構(gòu)薄膜，用ALD沉積技術(shù)制造出高效率穩(wěn)定的稀土Gd摻雜的SiO2 MOS結(jié)構(gòu)紫外電注入發(fā)光器件，主要解決提高電致發(fā)光效率和MOS結(jié)構(gòu)電致發(fā)光器件的穩(wěn)定性兩個(gè)主要科學(xué)技術(shù)問(wèn)題。
本項(xiàng)目利用原子層沉積技術(shù)生長(zhǎng)高質(zhì)量SiO2:Gd紫外發(fā)光薄膜和納米層狀結(jié)構(gòu)發(fā)光薄膜，通過(guò)人工設(shè)計(jì)納...

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稀土離子摻雜的硅基納米層狀結(jié)構(gòu)紫外電致發(fā)光器件

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