一種獲得相變存儲器相變電阻晶化率的方法

2013年

應用技術(shù)

初期階段

成果簡介

本發(fā)明涉及一種計算相變存儲器相變電阻晶化率的方法，由于相變存儲器在進行讀寫操作時，所加載的電流或電壓會引起相變材料溫度的變化，從而導致相變材料發(fā)生相變。電壓或電流的不同，會導致相變電阻在Reset過程中，相變區(qū)的電阻會部分或全部發(fā)生Reset相變。相變區(qū)發(fā)生相變的這部分電阻體積和整個相變區(qū)的體積比值稱為晶化率x。這部分電阻在Reset態(tài)和Set態(tài)之間的相互轉(zhuǎn)換決定了存儲器的邏輯0或1。使用...

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一種獲得相變存儲器相變電阻晶化率的方法

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