一種快速表征相變材料及介質層的方法

2013年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明將有助于加快探索新型相變材料的進程，為研究納米尺度下相變存儲器的性能提供有效的方法，有利于進一步促進相變存儲器的發展。本發明的特征在于，在（100）取向的硅片上面，應用化學氣相沉積的方法首先制備一層SixN介質層，其厚度控制為300～500nm；然后使用磁控濺射的方法沉積300nm厚的Al/Ti/TiN，各層相應厚度為150nm/100nm/50nm，作為底層電極材料；于底層電極材...

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