2013年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本發(fā)明提供了一種陰陽離子共摻的n型氧化鋅基透明導電薄膜，所述摻雜的陽離子為高價陽離子Mn+，n為3、4、5或6；所述摻雜的陰離子為低價陰離子Xm-，m＝1。本發(fā)明采用高真空磁控濺射技術(shù)(High-vacuum Magnetron Sputtering)，利用高價陽離子和低價陰離子雙重促進氧化鋅薄膜的n型透明導電性能，制備出高性能的陰陽離子共摻氧化鋅多晶薄膜。含低價陰離子的化合物作為助熔劑還...
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