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     提出一種新工藝制備薄膜材料，包括下列步驟： 1)加工導(dǎo)電模具，在硅片上刻蝕出具有微米或納米級圖案結(jié)構(gòu)，然后通過熱氧工藝在圖案結(jié)構(gòu)的表面制備一介電層，或在石英上刻蝕出具有微米或納米級圖案結(jié)構(gòu)，然后在圖案結(jié)構(gòu)的表面順序制備一透明導(dǎo)電層和一介電層，透明導(dǎo)電層的厚度為50nm，介電層的厚度為模具腔體寬度的1/10～1/100，透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ITO，介電層為SiO2； 2)在導(dǎo)電模具上勻膠，在導(dǎo)電模具上旋涂紫外光固化膠、熱固化膠或熱熔膠，形成一層聚合物薄膜，聚合物薄膜的厚度為模具腔體深度的2倍； 3)探針電極掃描填充，將探針電極插入或接觸聚合物薄膜，在導(dǎo)電模具和探針電極間施加直流電壓，電壓大小以介電層不被擊穿為限，然后移動探針電極，則探針電極掃描過的模具腔體會被聚合物薄膜填充進去，控制電壓大小獲得不同深度的填充； 4)聚合物轉(zhuǎn)移，將目標襯底覆蓋在聚合物薄膜上，然后將聚合物薄膜固化，固化后脫模，即可得到具有三維結(jié)構(gòu)的微/納米圖案，目標襯底為硅或石英。