納米半導體氧化亞銅的制備及其光電性能研究
成果概況
| 成果類別： | 應用技術 | 體現形式： | 新技術 | 課題來源： | 地方計劃 |
| 起止時間： | 2012.01 至2013.12 | 研究形式： | 獨立研究 | 所處階段： | 初期階段 |
| 成果屬性： | 原始性創新 |
成果簡介
本項目采用電沉積法制備Cu2o薄膜，主要是由于電沉積法無需昂貴設備，工藝簡單，流程短，成本低，純度高，沉積溫度較低，并能嚴格控制沉積條件，沉積過程容易監測，組分利用率高，易于制備大面積薄膜，薄膜的結構和厚度也能可控生長，基材的尺寸不受限制等優點。因此，采用此方法制備Cu2o薄膜可以大大降低太陽能電池和光催化劑的生產成本，在太陽能電池和催化工業具有廣闊的應用前景。
應用前景
| 主要應用行業： | 制造業 | 知識產權形式： | |
| 應用狀態： | 產業化應用 | 擬轉化方式： |
單位概況
| 完成單位： | 西安理工大學 | ||||
| 單位地址： | 陜西省西安市碑林區金花南路5號 | ||||
| 單位電話： | 029-82312509;82312218 |
聯系方式
| 聯系人： | 余曉皎 | 聯系人電話： | 029-82312677 | 聯系人Email： |
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