雙層摻混結構碳納米管薄膜場發射陰極及其制備方法
成果概況
成果類別: | 應用技術 | 體現形式: | 新技術 | 課題來源: | 自選課題 |
起止時間: | 2007.01 至2008.01 | 研究形式: | 獨立研究 | 所處階段: | 初期階段 |
成果屬性: | 原始性創新 |
成果簡介
本發明公開了一種雙層摻混結構碳納米管薄膜場發射陰極及其制備方法。采用Ti納米粉體摻混制備CNT復合漿料,通過絲網技術印刷出單層Ti摻混結構的CNT陰極薄膜。通過兩步燒結工藝,形成上層為TiO2摻混、下層為Ti摻混結構的雙層摻混結構CNT復合薄膜陰極。在復合薄膜陰極的表層,導電的Ti轉化為非導電的介質材料TiO2;降低了CNT相互接觸而產生屏蔽效應,有利于CNT發射體增強因子的增加。在復合薄膜陰極的底部,摻混納米材料Ti增加了CNT相互之間、CNT與襯底之間的接觸面積,降低了導電電極層與CNT層的接觸電阻,提高復合薄膜陰極下層CNT本身的電子傳輸性能。
應用前景
主要應用行業: | 制造業 | 知識產權形式: | 專利 |
應用狀態: | 產業化應用 | 擬轉化方式: |
單位概況
完成單位: | 西安交通大學 | ||||
單位地址: | 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號 | ||||
單位電話: | 029-82668234;82668338 |
聯系方式
聯系人: | 朱長純 | 聯系人電話: | 029-82668888 | 聯系人Email: |
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