全禁帶三維光子晶體壓印成型方法
成果概況
| 成果類別： | 應(yīng)用技術(shù) | 體現(xiàn)形式： | 新技術(shù) | 課題來(lái)源： | 自選課題 |
| 起止時(shí)間： | 2007.01 至2008.01 | 研究形式： | 獨(dú)立研究 | 所處階段： | 初期階段 |
| 成果屬性： | 原始性創(chuàng)新 |
成果簡(jiǎn)介
本發(fā)明涉及微納制造技術(shù)領(lǐng)域，介紹了一種全禁帶三維光子晶體的壓印成型制造方法。以高分子聚合物硅橡膠或聚甲基丙烯酸甲酯作為基體材料，采用納米壓印的方式在高分子聚合物基體材料中填入單分散膠體顆粒（聚苯乙烯、二氧化硅或二氧化鈦），使單分散膠體顆粒在高分子聚合物基體材料中形成面心立方結(jié)構(gòu)。在壓印模板凸起部分吸附單分散膠體顆粒，并以微接觸式納米壓印工藝使單分散膠體顆粒在液態(tài)高分子聚合物基體材料上形成了具有面心立方111面的二維結(jié)構(gòu)，其中單分散膠體顆粒即為面心立方111面上的基元，之后逐層疊加，最終形成具有面心立方結(jié)構(gòu)的全禁帶三維光子晶體。
應(yīng)用前景
| 主要應(yīng)用行業(yè)： | 制造業(yè) | 知識(shí)產(chǎn)權(quán)形式： | 專利 |
| 應(yīng)用狀態(tài)： | 產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 | 擬轉(zhuǎn)化方式： |
單位概況
| 完成單位： | 西安交通大學(xué) | ||||
| 單位地址： | 陜西省西安市碑林區(qū)咸寧西路28號(hào) | ||||
| 單位電話： | 029-82668234;82668338 |
聯(lián)系方式
| 聯(lián)系人： | 劉洪忠 | 聯(lián)系人電話： | 029-82668330 | 聯(lián)系人Email： |
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