ZnO基材料生長、P型摻雜與室溫電致發光研究

2008年

應用技術

成果簡介

　　項目研究發現了p型摻雜新現象，建立了3個理論模型闡述了其機理，找到了4種新方法，制備出質量良好的p型ZnO和同質pn結。研究中形成了20余項發明專利，已授權10余項，擁有一系列核心技術專利，保護了中國在ZnO光電器件應用方面的知識產權。在國際上第一個由MOCVD方法研制出同質ZnO pn結和LED原型器件，成功實現了室溫電致發光，為中國ZnO光電器件應用奠定了基礎。該項目的ZnO p型摻雜及機...

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ZnO基材料生長、P型摻雜與室溫電致發光研究

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