2010年 應(yīng)用技術(shù)
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有大禁帶寬度、強擊穿電場、高電子飽和漂移速度和良好化學(xué)穩(wěn)定性等一系列材料性能優(yōu)勢，是研制新型功率半導(dǎo)體器件的熱門材料。SiC肖特基功率二極管在美國已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但受到SiC襯底技術(shù)壟斷等因素的限制，SiC肖特基功率二極管的價格非常昂貴，無法實現(xiàn)大范圍推廣。相比之下，GaN技術(shù)沒有材料來源上的限制；而且，由于GaN材料普遍被生長...
|
微信公眾號
服務(wù)熱線
微信公眾號
服務(wù)熱線
