一種構筑亞10納米間隙及其陣列的方法

2010年

應用技術

中期階段

成果簡介

本發明公開了一種提高量子點共振隧穿二極管光探測器動態范圍的方法。其結構核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收層、1010cm-2～1011cm-2量級的高密度InAs自組裝量子點及AlGaAs/GaAs雙勢壘結構層。其工藝核心改進為延長交叉橋共振隧穿二極管器件工藝的退火時間，使得歐姆接觸擴散到雙勢壘結構層。其核心探測途徑發明點為在保持原有隧穿二極管對少光子敏感的縱向電流支路的同時，...

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