一種提高相變存儲器存儲單元可靠性的結構及其制作方法

2010年

應用技術

初期階段

成果簡介

本發明涉及一種高可靠的新型相變存儲器。該相變存儲器的外圍電路（包括邏輯電路、譯碼電路、寫擦驅動電路和讀出放大電路等）在抗輻照的SOI襯底上制造。存儲單元由一個可逆相變電阻和一個pn結（二極管、diode）構成，形成1D1R結構。在輻照的條件下，雖然α粒子、γ射線的穿透能力很強，但是作用在相變材料中的時間很短，產生的熱量不大，不會引起材料的結構發生變化。因此，基于結構變化的相變材料，其阻值不...

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一種提高相變存儲器存儲單元可靠性的結構及其制作方法

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