2010年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 本發(fā)明涉及一種濕法制造的微機(jī)械電容式加速度傳感器，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域。其特征在于，最為關(guān)鍵的是利用補(bǔ)償條結(jié)構(gòu)犧牲方法和（110）單晶硅在各向異性腐蝕液中選擇性腐蝕特性，采用硅各向異性濕法腐蝕在（110）單晶硅上制造出所需要的電容式加速度傳感器結(jié)構(gòu)，電容加速度傳感器可動(dòng)電極和固定電極同時(shí)形成在（110）單晶硅上，電容極板間隙為3－15微米。電容的平行電極必須嚴(yán)格對(duì)準(zhǔn)（111）晶向。本發(fā)明...
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