2010年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 1.項(xiàng)目研究內(nèi)容
本項(xiàng)目旨在根據(jù)半導(dǎo)體照明市場和特種照明市場的需求，采用功率型單芯片和多芯片組合，應(yīng)用新型鋁碳化硅石墨基板材料，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高亮度發(fā)光二極管（HB-LED）單芯片封裝和陣列封裝工藝和技術(shù)，解決HB-LED封裝中的材料問題、散熱問題、光學(xué)問題及小批量制作的工藝問題，并提供封裝件樣品。 2. 項(xiàng)目的技術(shù)特點(diǎn) （... 
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