2010年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 碳化硅(SiC)作為重要的第三代半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓以及抗輻射電子器件的理想材料，在軍工、航天、固態(tài)照明和電力電子等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值，因此成為當(dāng)前全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。
我國相關(guān)研究起步晚，加上國外技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)，SiC晶體已成為嚴(yán)重制約國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。1999年以來，在國家自然科學(xué)基金委、科技部和... 
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