2004年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 1、在大直徑半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝技術(shù)的研發(fā)方面取得了突破性進(jìn)展：全面完成合同各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，晶體質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。建成3～4英寸半絕緣砷化鎵LEC體單晶年生產(chǎn)能力50000片的中試生產(chǎn)線；建成2英寸半導(dǎo)體砷化鎵單晶片年生產(chǎn)能力150000片的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線。
2、在大直徑砷化鎵單晶晶片加工工藝技術(shù)的研發(fā)方面取得了突破性進(jìn)展：現(xiàn)已完全掌握開(kāi)盒即用晶片加工技術(shù)，晶片加工... 
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