介電、鐵電材料的制備科學及關鍵基礎問題

2010年

基礎理論

成熟應用階段

成果簡介

(1)在高介電系數材料研究方面，我們較早地報道了采用脈沖激光沉積法在商業化白金鍍層硅襯底上獲得高質量的鈦酸銅鈣多晶薄膜，系統研究了沉積氣壓、基片溫度、激光能量以及薄膜厚度對薄膜微結構以及介電性質的影響，為該類薄膜在硅基上的生長提供了可靠的生長參數。并且提出了該薄膜介電系數進一步提高以及降低介電損耗的方法，揭示了鈦酸銅鈣多晶薄膜高介電系數的起源。系統研究了不同退火溫度、退火氣氛與鈦酸鍶鋇薄膜...

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