2010年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 1、針對(duì)平行板電極VHF-PECVD反應(yīng)室，建立了準(zhǔn)平面二維電路模型，應(yīng)用該模型實(shí)現(xiàn)功率饋入點(diǎn)數(shù)量及位置的優(yōu)化計(jì)算；應(yīng)用HFSS三維電磁場(chǎng)仿真軟件，通過(guò)對(duì)大面積VHF-PECVD反應(yīng)室電磁場(chǎng)進(jìn)行仿真計(jì)算，提出采用刻槽式電極、異型電極和背饋入式電極結(jié)構(gòu)，減小饋入點(diǎn)局部區(qū)域表面、電流密度分布，以改善電場(chǎng)分布均勻性；采用CFD-ACE+軟件對(duì)大面積噴淋式平板電極VHF-PECVD反應(yīng)室的流體場(chǎng)分布進(jìn)...
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