碳化硅晶體制備技術

2010年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

　　碳化硅（SiC）作為重要的第三代半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓以及抗輻射電子器件的理想材料，在軍工、航天、固態(tài)照明和電力電子等領域具有重要的應用價值，因此成為當前全球半導體材料產業(yè)的前沿和制高點之一。物理氣相傳輸（PVT）法是目前生長大尺寸、高質量SiC單晶的唯一成熟方法，其基本原理是將SiC粉料加熱到2200～2400℃，使其分解成氣相（主要為Si，Si_2C，SiC_2），再升...

相關成果

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9. 大直徑碳化硅晶體生長工藝與設備
10. 人工晶體材料制備技術及產業(yè)化
12. 大尺寸摻雜鎢酸鉛閃爍晶體及其制備技術
13. 光子晶體制備及應用
14. 導電碳化硅材料新工藝制備技術研究
15. 納米復合碳化硅陶瓷及其制備方法
16. 制備碳化硅多孔陶瓷管的方法
17. 新型硅/碳化硅工程陶瓷材料及制備技術研究
18. 新型重結晶碳化硅工程陶瓷材料制備技術研究
19. 高性能再結晶碳化硅制品的制備新技術
20. 流動/動力學模型在碳化硅晶體生長中的應用

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