節能高效半導體（固體）白光照明用ZnO基LED

2009年

應用技術

成果簡介

ZnO有很高的激子束縛能（60meV），遠高于其它寬禁帶半導體材料（GaN為25meV，ZnSe為22meV），也高于室溫的熱能（26meV），因而ZnO激子室溫下是穩定的，可以實現室溫或更高溫度下的激子復合發光，相對于電子-空穴對的復合發光而言，激子發光效率更高，所需激射閾值更低。所以，ZnO是一種理想的短波長發光器件材料，在藍-紫外波段的發光二極管（LED）、激光器（LD）和探測器等領...

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節能高效半導體（固體）白光照明用ZnO基LED

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