2010年 應(yīng)用技術(shù)
中期階段 本項目屬于新材料領(lǐng)域中的非金屬功能材料和光電信息材料領(lǐng)域，為2005年度西安市科技攻關(guān)計劃—重大技術(shù)創(chuàng)新專項資金支持項目。
第三代半導體材料碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高、熱導率高以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點，是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體傳感器等新型器件以及耐高溫集成電路的優(yōu)選材料，也是氮化鎵白光LED和... 
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