2CC2109型硅調諧變容二極管

2001年

應用技術

成熟應用階段

成果簡介

1、課題來源及背景：2CC2109型硅調諧變容二極管是我公司根據國內市場的需求自行開發試制的品件，采用TO-92封裝。
2、技術原理及性能指標：該器件是利用PN結耗盡層寬度隨電壓變化而變化所形成的電容C隨電壓V變化而變化的C-V特性制作的。
3、技術的創造性與先進性：
在版圖的設計過程中，充分考慮了有源區面積與材料電阻率對電容的影...

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2CC2109型硅調諧變容二極管

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