2009年 應用技術
初期階段 本發明涉及一類新型壓電單晶體及其坩堝下降生長方法。其特征在于：通過同族元素替代形成了的壓電晶體，通式為sr↓［3－x］me↓［x］nbga↓［3］si↓［2］o↓［14］，其中me為ca或ba，x＝0．1－2．9；優先0．1≤x≤1．5，所述的生長方法是按sr↓［3－x］me↓［x］nbga↓［3］si↓［2］o↓［14］化學計量比配料，均勻混合，在1150～1170℃預燒8～12小時，通...
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