硅基碲鎘汞器件的伸縮網絡結構芯片

2009年

應用技術

中期階段

成果簡介

本發明公開了一種硅基碲鎘汞器件的伸縮網絡結構芯片，該芯片包括：Si襯底，在Si襯底上依次置有與其牢固結合的碲化鎘緩沖層、碲鎘汞外延薄膜，通過器件芯片制備工藝在HgCdTe外延薄膜上形成特殊的網絡狀光敏元列陣，這種網絡結構在溫度變化時可以比較自由地伸縮。本發明帶來的一個非常顯著的優點是，無論器件規模有多大，器件尺寸有多大，網絡結構都等效地將大芯片分解成以光敏元尺度為單位的小芯片的集成，這樣在...

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硅基碲鎘汞器件的伸縮網絡結構芯片

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